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DMN3005LK3
E
b3
L3
A
c2
TO252
Dim Min Max Typ
A 2.19 2.39 2.29
A1
0.00 0.13 0.08
A2
0.97 1.17 1.07
b
0.64 0.88 0.783
D
H
A2
E1
b2
b3
c2
0.76 1.14 0.95
5.21 5.46 5.33
0.45 0.58 0.531
D
6.00 6.20 6.10
D1
5.21
?
?
L4
A1
e
E
? ? 2.286
6.45 6.70 6.58
2X b2
e
3X b
a
L
E1
H
L
L3
4.32 ? ?
9.40 10.41 9.91
1.40 1.78 1.59
0.88 1.27 1.08
L4
0.64 1.02 0.83
a
0° 10°
?
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
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X2
Dimensions
Value (in mm)
Y2
Z
X1
11.6
1.5
Y1
X1
DMN3005LK3
Document number: DS33318 Rev. 4 - 3
E1
C
Z
5 of 6
www.diodes.com
X2
Y1
Y2
C
E1
7.0
2.5
7.0
6.9
2.3
May 2013
? Diodes Incorporated
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DMN3024LSD-13 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A SO8
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DMN3007LSS-13 功能描述:MOSFET 2.5W 16A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3010LSS 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3010LSS-13 功能描述:MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3018SSD-13 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Ch Enh 22mOhm 10V 6.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3018SSS-13 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40 1V-40V SO-8 T&R 2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
DMN3020LK3 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
DMN3020LK3-13 功能描述:MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube